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我國的鋁電解電容器發(fā)展也很快，據(jù)統(tǒng)計，1997年產(chǎn)量約為150億只，估計近期可能已超過200億只。從我國電子行業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r看，近幾年鋁電解電容器的產(chǎn)量還會有較大的提高。目前我國電解電容器用鋁箔一部分用國產(chǎn)箔，還有相當(dāng)一部分依賴進(jìn)口。為了改變這種局面，國內(nèi)廠家，在國產(chǎn)化方面做了許多工作。前不久西南鋁電解電容器用高壓鋁箔研究項目開發(fā)成功，產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到國際先進(jìn)水平，已完全可以代替進(jìn)口。應(yīng)該說，經(jīng)過10多年發(fā)展，特別是最近五六年來，我國電子鋁箔的質(zhì)量已有了很大提高。 電解電容器中用的鋁箔屬于電子鋁箔的范疇，這是一種在極性條件下工作的腐蝕材料。不同極性的電子鋁箔要求有不同的腐蝕類型。高壓陽極箔為柱孔狀腐蝕，低壓陽極箔為海綿狀腐蝕，中壓段的陽極箔為蟲蛀狀腐蝕。 20世紀(jì)80年代以前，電解電容器大都是沿用手工化學(xué)腐蝕，80年代之后采用聯(lián)動電化學(xué)腐蝕。手工腐蝕用的鋁箔純度較低（99.3％～99.7％），對鋁箔加工質(zhì)量的要求也不高。聯(lián)動電化學(xué)腐蝕要求鋁箔的純度越來越高，對鋁箔的加工質(zhì)量也要求越來越精。從鋁的純度而言，20世紀(jì)80年代鋁純度為99.99％，迄今鋁純度已達(dá)99.993％。這是電極箔的要求，也是鋁加工行業(yè)的技術(shù)在進(jìn)步。 鋁箔純度提高，當(dāng)然對電極箔質(zhì)量提高帶來好的影響，但另一方面是成本在提高。與此同時，腐蝕介質(zhì)也在不斷變化，有的介質(zhì)濃度提高，有的介質(zhì)類型在變化，這些都對環(huán)保工作不利，導(dǎo)致生產(chǎn)企業(yè)環(huán)保任務(wù)繁重，由此可能會要求鋁的純度有所降低。從日本鋁箔的最新成分分析中，發(fā)現(xiàn)已有這方面的趨勢。 腐蝕化成箔質(zhì)量的提高與鋁光箔質(zhì)量的進(jìn)步是分不開的，從日本的專利來看，負(fù)極箔的專利高峰期為20世紀(jì)80年代，陽極箔的專利高峰期有兩個：一個高峰約在1977～1978年，另一個高峰期在1983年左右。這些專利高峰期說明技術(shù)在飛速進(jìn)步。 從世界范圍看，電子鋁箔發(fā)展的趨勢大致如下： 高壓陽極箔 高壓陽極箔可以分成兩類，一類是優(yōu)質(zhì)高壓箔；一類是普通高壓箔。 優(yōu)質(zhì)高壓陽極箔特點(diǎn)是“二高一薄”，即高純、高立方織構(gòu)和薄的表面氧化膜。這類產(chǎn)品質(zhì)量上乘，但成本高。鋁純度＞99.99％，立方織構(gòu)96％。真空熱處理在10－3pa～10－5Pa條件下進(jìn)行。 普通高壓陽極箔是一種經(jīng)濟(jì)實用的高壓陽極箔，鋁純度＞99.98％，立方織構(gòu)＞92％，真空熱處理在10－1pa～10－2pa條件下進(jìn)行。 低壓陽極箔 低壓陽極箔的工藝比較復(fù)雜，我們認(rèn)為不可能采用一種方法來滿足各段電壓的要求，大致可以劃分如下。 小于35Vf的低壓箔，應(yīng)發(fā)展硬態(tài)高純鋁箔的腐蝕，特點(diǎn)是硬態(tài)可以提供數(shù)量多的腐蝕細(xì)小核心和腐蝕通道，至于直流腐蝕和交流腐蝕哪一種電源好些需要研究。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為該法的比容較之軟態(tài)法的可以提高5μF／cm2。 大于50Vf的低壓箔，軟態(tài)高純鋁箔提供了諸多晶面位向差的條件，可以獲得蝕孔較大的腐蝕箔。 負(fù)極箔 負(fù)極箔也有軟態(tài)和硬態(tài)之分。日本以軟態(tài)電化學(xué)腐蝕為主，西歐以硬態(tài)化學(xué)腐蝕為主。兩者各有其優(yōu)缺點(diǎn)，軟態(tài)用純度高的鋁箔（＞99.85％），無銅，質(zhì)量優(yōu)，成本高；硬態(tài)用的是純度低的含銅的鋁箔，成本低，比容易于提高。為了發(fā)展靜電容量適中，成本低的無銅或低銅的負(fù)極箔，可以用AL－Fe、AL－Mg等合金。其中高純低銅鋁箔，以高純鋁為基添加微量銅作為腐蝕核心，比容可與高純軟態(tài)電化學(xué)腐蝕方法的鋁箔相媲美，因其成本低廉，應(yīng)該會贏得市場歡迎。 |
